製造商產品編號:
TSM2N60SCW RPG
Product Overview
製造商:
Taiwan Semiconductor Corporation
零件編號:
TSM2N60SCW RPG-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223
详细描述:
N-Channel 600 V 600mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223
庫存:
12897928
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TSM2N60SCW RPG 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Taiwan Semiconductor
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
600mA (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 600mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
435 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
SOT-223
包裝 / 外殼
TO-261-4, TO-261AA
基本產品編號
TSM2
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
TSM2N60SCW RPGCT-DG
TSM2N60SCWRPGTR
TSM2N60SCWRPGCT
TSM2N60SCW RPGDKR
TSM2N60SCWRPGDKR
TSM2N60SCW RPGTR
TSM2N60SCW RPGCT
TSM2N60SCW RPGTR-DG
TSM2N60SCW RPGDKR-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
3 (168 Hours)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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